成果簡介：中國科學院合肥物質院智能所仿生智能技術中心科研團隊率先在國內開展面向三維先進封裝的TGV工藝研究，開發了基于導電硅和金屬的兩款TGV晶圓（Through Glass Via, TGV）。開發出了高均一性、高致密、高深寬比的TGV晶圓，具有超低漏率、超低信號損耗的優勢，滿足環形諧振器、波導縫隙天線、毫米波天線等5G/6G高頻芯片，以及新型MEMS陀螺儀、加速度計3D晶圓及封裝需求。

　　市場前景：隨著5G、人工智能和高效能運算等新技術興起，半導體芯片對于高性能、小尺寸、高可靠性以及超低功耗的要求越來越高，這也促使先進封裝技術不斷突破發展，先進三維封裝技術也逐漸成為實現電子產品小型化、輕質化、多功能化的重要手段。玻璃穿孔（TGV）是實現玻璃正反面垂直導電的一種新型工藝，具有絕緣性高、氣密性高、適合跨尺度多區高精度集成等優點，在射頻器件、微機電系統(MEMS)封裝、微器件系統集成等領域具有廣泛的應用前景。根據MEMS市場咨詢機構Yole的數據，全球封測行業市場規模保持平穩增長，預計從2019年的680億美元增長到2025年的850億美元，年均復合增速約4%。根據中國半導體行業協會的數據，中國封測行業市場規模從2011年的976億元增長到了2019年的2350億元，年均復合增速約11.6%。5G/6G射頻芯片市場規模在2023年將達到50億元。高端芯片微流控市場在2026年將達到200億每年。應用領域廣，市場前景大。

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　　1、高摻雜硅為導電材料的TGV，可以用于陽極鍵合實現低漏率高真空芯片封裝

　　2、金屬漿料為導電材料的TGV，可以用于高頻低傳輸損耗芯片封裝